被稱為“中東硅谷”的以色列高科技發達，芯片產業和半導體技術特別引人注目，每年的出口額占以色列總出口額的20%以上。 現在，以色列小型，開發了比以前快100倍的超級芯片，期待著將來。

報告顯示，以色列希伯來大學物理學家烏里埃爾·利比及其研究小組一直致力于開發新的芯片技術，經過三年多的不懈努力，研究人員日前終于取得了結果。 他們利用“金屬-氧化物-氮化物-氧化物-硅”結構( monos )開發了新的集成光子電路制造技術。 由此，微芯片可以采用閃存技術，可以使磁頭更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，其運算頻率可以達到太赫茲量水平，可以使與計算機相關聯的光通信設備的運行速度達到11

太赫茲( thz )是頻率單位之一。 太赫茲波包括頻率為0.1thz—10thz的電磁波，是位于微波和紅外光頻帶之間的電磁頻譜。 與太赫茲波段兩側的紅外和微波技術的迅速發展相比，對太赫茲波段的認識有限，形成了所謂的太赫茲間隙。 太赫茲波具有透射性，能量比x射線少。 這是因為不會對人體組織和dna造成損傷。 近年來，太赫茲技術成為備受矚目的科技交叉前沿行業，微芯片行業也有潛力。

通常，光通信包括將所有運用光作為新聞載體，經由光纜進行傳輸的技術。 例如，互聯網、電子郵件、郵件、電話、云、數據中心等屬于光通信的范疇。 光通信速度非常快，但在微芯片中光通信變得不可靠，難以大量重復和擴展。 具體來說，有兩大技術難題阻礙太赫茲微芯片的開發和制造。 一個是芯片本身過熱，另一個是沒有可擴展性。 科學家認為，光子器件的超高精度和可重復制造是成功集成光子芯片的重要技術保障。

利維的科學研究小組正是在這兩個難題上取得了突破。 他們巧妙地繞開了目前光子器件的微納加工精度低、重復性和擴展性差的技術課題，將閃存技術引入硅基光子器件加工，成功地制造了可靠、可重復的光子器件。 這一舉措對未來集成光子芯片的誕生具有重要的前瞻性和開拓性，有望引起核心產業的革命。 解體表明，這一發現有助于填補太赫茲的差距，創造新的、更強大的無線設備，使芯片能夠比現在更高速地傳輸數據，是足以改變芯片高新技術行業的游戲規則的技術。

事實上，從電子通信到光通信的轉移對芯片制造商很有魅力。 這是因為在消除技術壁壘后，光通信可以顯著提高芯片的運算速度，大幅度降低功耗。 人們期待著比以前快100倍的太赫茲級微芯片早日問世，給人類帶來更好的利益。

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